Citation link:
Authors:
Витанов, Петко Костадинов; Vitanov, Petko Kostadinov; Тютюнджиев, Николай Христов; Tyutyundzhiev, Nikolay Hristov; Каменова, Марийка Тодорова; Kamenova, Mariyka Todorova; Делибашева, Мария Христова; Delibasheva, Mariya Hristova
Title:
Възможности за повишаване ефективността на силициев фотоелемент
Other Titles:
Application of porous silicon layer in photovoltaic devices
Date of Issue:
1995
Is Part of:
Годишник на ТУ-София, 48(4), 1995, Електроника, комуникации, информатика, автоматика : Юбилейна научна сесия „50 години ТУ–София“ 11-12.10.1995 София, с. 79-84.
Publisher:
ТУ-София
Identifiers:
0374-342X [issn]
Type:
Article
Language:
bul
Subject:
силиций – приложение – в оптоелектрониката – изследване; silicon - application - in optoelectronics - research
Abstract:
On the top n+ — region of the standard n+p solar cell used in the experiment was formed thin porous silicon (PS) layer. The photovoltaic properties of two identical samples with and without porous silicon are compared. The tested structures are measured under solar simulated light of 100 mW/cm2. It was observed that the short circuit current has in-creased with 50% for the M/PS/n+ /p-Si sample. The I-V characteristics. for the samples were measured by different temperature. The observed photovoltaic properties of the structures M/PS/ n+ /p-Si permit a new possibility for application of thin porous silicon layers in high efficiency solar cells.
Description:
Възможности за повишаване ефективността на силициев фотоелемент / Петко Витанов и др. (Електроника). // Годишник на ТУ-София, Том 48, 1995, № 4. Електроника, комуникации, информатика, автоматика : Юбилейна научна сесия „50 години ТУ–София“ 11-12.10.1995 София, с. 79-84 : с ил., диагр., формули
Други авт.: Николай Тютюнджиев, Марийка Каменова, Мария Делибашева. - Рез. на бълг. и англ. ез.; С библиогр.
